(pressebox) Braunschweig, 19.10.2009,
Alpha & Omega Semiconductor, Inc. (AOS) gibt die Verfügbarkeit von zwei neuen N-Kanal SDMOSTM Leistungstransistoren für Brücken/Halb-Brücken-DC-DC-Wandler bekannt. Die beiden Typen AON6452L/AO4452L werden in der AOS eigenen High-Performance SDMOSTM Trench-Technologie gefertigt, die einen ausgezeichneten RDS(ON) von 25 mOhm bei gleichzeitig niedriger Gate-Ladung ermöglicht. Das Ergebnis ist eine herausragende Effizienz, gepaart mit kontrolliertem Schaltverhalten. Diese universelle Technologie eignet sich hervorragend für PWM-, Last-Schalt- und allgemeine Anwendungen.
Die 100% UIS und Rg getesteten Bauteile sind ab Lager in RoHS-konformen und halogenfreien Gehäusen lieferbar. Beim AON6452L wird ein thermisch verbessertes DFN5x6 Gehäuse verwendet, welches auf ein SOIC8 Footprint passt und das Bauteil in die Lage versetzt, bis zu 26 A zu verarbeiten. Der AO4452L kann im Standard-SOIC-8-Gehäuse und seinem dadurch bedingten Maximalstrom von 8 A als Economy-Variante angesehen werden.
No Comments on "Neue 100 V-MOSFETs (nicht nur) für Telecom-Stromversorgungen"